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Fabricación de un material semicoductor basado en BaTiO3, mediante el dopado con Nb2O5

Fabricación de un material semicoductor basado en BaTiO3, mediante el dopado con Nb2O5

Velasco Dávalos, Iván Alejandro
URI: http://tesis.ipn.mx:8080/xmlui/handle/123456789/16601
Date: 2016-03-07

Abstract:

El titanio de bario se comporta como un aislante eléctrico.

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