Obtención de contactos de tipo CuxTe en celdas solares de CdTe mediante ataques químicos de ácidos nítrico-fosfórico y evaporación de Cu

Abstract

RESUMEN:

En este trabajo de tesis se evalúa la obtención de contactos posteriores del tipo CuxT e en celdas solares de CdS/CdT e mediante el proceso combinado de formación: a) de la formación de una región p+ (rica en Te) sobre la superficie del CdT e mediante ataque químico N/P al Cd, b) un depósito de una películas de Cu y un posterior tratamiento térmico. El ataque químico consistió en una combinación de ácido nítrico y fosfórico. Esta combinación es conocida en la literatura especializada como N/P. Se prepararon dos soluciones con diferentes concentraciones de ácido nítrico y fueron utilizados diferentes tiempos de ataques con esas soluciones. Películas de Cu con diferentes espesores fueron depositadas sobre la superficie enriquecida de T e, mediante evaporación térmica al vacío. El espesor de la película de Cu varió entre los 10 nm y los 1510 nm. El tratamiento térmico consistió en calentar la muestra de CdT e con la finalidad de que el Cu difunda y al mismo tiempo se enlace con el T e que se tiene en la superficie para crear el CuxT e. La fase mas estable en cuanto al enlace se refiere es cuando x = 1,4. Adem´as que se deben de ser óhmicos, por lo tanto, el criterio de ohmicidad es fundamental en este trabajo, también se estudió la influencia del Cu en la barrera del grano con la finalidad de optimizar el deposito de Cu una vez optimizado el espesor se realizaron mediciones de resistencia de contacto mediante la técnicas T LM, como estamos buscando una fase en especifica del compuesto requerimos usar difracción de rayos X para la identificación de las fases obtenidas. Es importante señalar que previo a este trabajo tenemos el estudio de los parámetros para obtener una óptima región p+. Se fabricaron celdas solares de CdS/CdT e donde la única diferencia es el contacto posterior de Cu/Au y Cu1,4T e donde en la primera se obtiene una eficiencia de 1,2 % y en las segundas 2,6 %. Por lo tanto se tienen mejoras al utilizar el contacto Cu1,4T e.

ABSTRACT:

This thesis evaluates the acquisition of back contact type CuxT e to solar cell of CdS/CdT e by chemical etching N/P to Cd films with a post-heat treatment. Chemical attack consisted of a combination of nitric and phosphoric acid this combination is known in the literature as N/P. Two solutions were prepared with different concentrations of nitric and were used at different times of attacks with these solutions. Cu films with different thicknesses were deposited on the surfece entiched with T e, by thermal evaporation under vacuum. Heat treatment is aimed at a spread of cu inside the region p+ to create a link to the te and form compound is achieved CuxT e. These processes have obtained the phase x = 1,4, this phase is reported as the most stable as back contact for CdT e solar cells CdS/CdT e. Subsequent contacts to be ohmic created so the ohmic approach is central to this characterization, we also studied the influence of the Cu in the barrier of the grain by measuring I − T, to discern which of the following is the contact create better metal-semicontudctor contact resistence we measure by T LM techniques, the most importante of these contacts is the phase thes created will use the x-ray techniques for identification. It is important to note that prior to this work we study the optimum parameters for region p+. Were manufactured solar cells for CdS/CdT e where the only difference is the back-contact Cu/Au and Cu1,4T e where the first gives an efficiency of 1,2 % and the second 2,6 %. So you have improvements to use the contact Cu1,4T e.