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Fabricación de un material semicoductor basado en BaTiO3, mediante el dopado con Nb2O5

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dc.contributor.author Velasco Dávalos, Iván Alejandro
dc.date.accessioned 2016-03-07T17:54:12Z
dc.date.available 2016-03-07T17:54:12Z
dc.date.created 2006-06
dc.date.issued 2016-03-07
dc.identifier.uri http://tesis.ipn.mx:8080/xmlui/handle/123456789/16601
dc.description Contiene imágenes es
dc.description.abstract El titanio de bario se comporta como un aislante eléctrico. es
dc.description.sponsorship Instituto Politécnico Nacional. es
dc.language.iso es_MX es
dc.title Fabricación de un material semicoductor basado en BaTiO3, mediante el dopado con Nb2O5 es
dc.type Tesis es
dc.contributor.advisor Herrera Zeri, Beatriz


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