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Caracterización estructural y óptica de películas delgadas de GaN

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dc.contributor.author Guillén Cervantes, José Ángel es
dc.date.accessioned 2012-04-13T18:22:43Z
dc.date.available 2012-04-13T18:22:43Z
dc.date.created 2010-06
dc.date.issued 13/04/2012
dc.identifier.citation Guillén Cervantes, José Ángel. (2010). Caracterización estructural y óptica de películas delgadas de GaN. (Doctorado Tecnología Avanzada), Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, Unidad Legaría, México. es
dc.identifier.uri http://tesis.ipn.mx/handle/123456789/9301
dc.description Tesis (Doctorado en Tecnología Avanzada), Instituto Politécnico Nacional, CICATA, Unidad Legaría, 2010, 1 archivo PDF, (129 páginas). tesis.ipn.mx es
dc.description.abstract RESUMEN: (INTRODUCCIÓN), Desde finales del siglo pasado se ha logrado seguir con detalle el desarrollo de avances tecnológicos que han tenido un impacto, por su aplicación alrededor del mundo, solo comparable con el descubrimiento del transistor hace más de 60 años. De igual forma un material semiconductor ha sido el protagonista de tal desarrollo, se trata del Nitruro de Galio (GaN por su simbología científica) que probablemente sea, en la actualidad, el material semiconductor más importante desde el Silicio (Si). El GaN es un material formado por la combinación de elementos III-V de la tabla periódica que debido a sus propiedades como ancho de banda directo, estabilidad térmica, resistencia a ambientes hostiles, entre otras, es aprovechado para el diseño de dispositivos electrónicos1-3. El GaN y sus aleaciones con InN y AlN han permitido el diseño de dispositivos optoelectrónicos que abarcan desde la región ultravioleta hasta el visible en el espectro electromagnético. Láseres de estado sólido y diodos emisores de luz son ejemplos de aplicaciones basadas en este semiconductor. Aunque podría creerse que el GaN es de reciente descubrimiento lo cierto es que ya se estudiaba al final de los años 60 del siglo pasado e incluso se logró el diseño de un diodo emisor de luz crecido por la técnica de MOCVD sobre un substrato de Al2O3 4 . No obstante lo anterior, materiales como el GaAs y el AlGaAs obtuvieron la atención de los proyectos de investigación de esa época. Sin embargo, en la década de los 90 y a más de 20 años del primer dispositivo fabricado en base al GaN, S. Nakamura logra desarrollar dispositivos emisores de luz de alta eficiencia5 dando inicio a una avalancha tecnológica de descubrimientos que impactaron al mundo entero. El desarrollo ha sido tan impresionante que es difícil mencionar alguna disciplina, científica o técnica que no se haya beneficiado con algún dispositivo electrónico basado en el GaN. Por dar algunos ejemplos, el almacenamiento digital de información es posible aumentarlo por un factor de 4 con el uso de detectores y emisores de InGaN con emisión en el azul-verde6 . El campo de desplegados visuales basados en diodos emisores de luz ha sido uno de los más beneficiados dado que con estos materiales es posible por primera vez, tener emisiones de luz en los colores primarios rojo, verde y azul lo que constituye la clave para la tecnología visual de procesamiento de imágenes a color7 . En medicina, la aplicación de láseres en la región ultravioleta basados en los nitruros ha permitido avances significativos en la detección de enfermedades dado que ciertos virus son sensibles a estas longitudes de onda8 . Sin embargo, a pesar del éxito obtenido existen aún algunos problemas relacionados con la síntesis de este material que requieren atención, sobre todo cuando se habla de las propiedades estructurales del compuesto dado que debido a la carencia de un substrato accesible para el crecimiento homoepitaxial se ha utilizando la heteroepitaxia sobre substratos como SiC, GaAs, Si, Al2O3, entre otros, lo que trae como consecuencia del desacople en las constantes de red, la generación de dislocaciones que promueven la degradación de dispositivos complejos como láseres9 . Por tal circunstancia es preciso desarrollar investigación abordando este problema y proponer soluciones. Y es en esta línea donde se pretende contribuir al finalizar los objetivos de este trabajo de tesis, además, el GaN sintetizado será propuesto como candidato para el diseño de dispositivos por lo que deberá tener una excelente calidad cristalina así como una respuesta óptica adecuada. es
dc.language.iso es es
dc.subject Películas delgadas es
dc.subject Películas de GaN es
dc.title Caracterización estructural y óptica de películas delgadas de GaN es
dc.type Thesis es
dc.contributor.advisor López López, Máximo es
dc.contributor.advisor Aguilar Frutis, Miguel Ángel es


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