Abstract:
En este trabajo se analizaron dos diferentes materiales de interés fotovoltaico como son el óxido de zinc (ZnO) y el Cobre-Indio-Selenio (CuInSe2 o CIS). El ZnO se depositó por el método de roció pirolítico con parámetros de síntesis constantes (temperatura, tiempo, concentraciones, etc.) y se dopó con aluminio a cinco diferentes porcentajes de relación molar contra el zinc. El CIS se creció por electrodepósito con un potensiostato/galvanostato a 10, 20 y 30 minutos y posteriormente fue dopado con Li, Na, K y Cs al 1% en relación molar con el Cu, seguido de un tratamiento de selenización y electrocristalización. Se analizaron ambos conjuntos de muestras por Microscopía Electrónica de Barrido donde el ZnO mostró cambios en la superficie conforme aumentó el dopaje y el CIS mostró cambios de rugosidad entre los iones dopantes. Por difracción de rayos X el ZnO mostró su crecimiento preferencial en la fase zincita y por análisis de Rietveld que el dopante entra en lugar del Zn, y el CIS mostró la menor cantidad de fases indeseadas al ser depositado durante 10 minutos. Por Microscopia de Fuerzas Atómicas se estudió la topografía de las superficies de ambos conjuntos de muestras y usando el complemento para medir corriente se analizó el mecanismo de conducción de los granos dependiendo la cantidad de dopante en el caso del ZnO o el cambio de dopante en el caso del CIS. Adicionalmente, al ZnO se analizó por Espectroscopía de reflectancia difusa de UV-vis y el método de resistencia de dos puntas, de donde se determinó que el ancho de banda prohibida crece al incrementar la cantidad de aluminio y se encontraron valores alrededor de 3.2 eV y la resistencia tuvo una caída relacionada con la cantidad de aluminio en la película y después un incremento por la formación de alúmina amorfa.
