Estudios estructurales y ópticos de películas de Ga1-XInXN procesadas mediante sublimación

Abstract

RESUMEN:

Este trabajo se centra en la síntesis de aleaciones de compuestos basados en nitruros semiconductores tipo 𝐺𝑎1−𝑥 𝐼𝑛𝑥𝑁 mediante la técnica de sublimación, empleando como precursores polvos de nitruro de indio (𝐼𝑛𝑁 99.9% pureza) y nitruro de galio (𝐺𝑎𝑁 99.99% pureza) así como de hidróxido de amonio (𝑁𝐻4𝑂𝐻) como fuente de compensación de nitrógeno. Además, se realiza un estudio resultante de la caracterización por medio de las técnicas de difracción de rayos X (XRD), microscopia electrónica de barrido (SEM), espectroscopia de energía dispersada (EDS) y fotoluminiscencia (PL). Los compuestos tipo 𝐺𝑎1−𝑥 𝐼𝑛𝑥𝑁 son sumamente atractivos para un amplio rango de aplicaciones tecnológicas, en particular en lo relacionado a aplicaciones optoelectrónicos ya que sus propiedades cristalinas, ópticas y eléctricas los hacen excelentes candidatos para la fabricación de múltiples dispositivos, en particular fotovoltaicos, debido a que estas características conjuntas permiten mejorar las propiedades de los mismos.

ABSTRACT:

This work is focused in the synthesis of 𝐺𝑎1−𝑥 𝐼𝑛𝑥𝑁 through the sublimation process, employing indium nitride (𝐼𝑛𝑁 99.9% purity) and gallium nitride (𝐺𝑎𝑁 99.99% purity), as well as ammonium hydroxide (𝑁𝐻3𝑂𝐻) as nitrogen compensation source. Also, we did a study on the characterizations carried out by X-Ray diffraction (XRD), scanning electronic microscopy (SEM), energy dispersive spectroscopy (EDS) and photoluminescence (PL). Compounds type 𝐺𝑎1−𝑥 𝐼𝑛𝑥𝑁 are very atractive due to its potential aplication in a wide range of technologies, in particular related to optoelectronic applications because of its crystalline, optical and electronic properties, all this makes these compounds an excellent choice for the manufacture of many devices, including photovoltaic, being that this set of features allow us to improve the quality of them .